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「3ナノで1年リード」、サムスンがTSMCけん制


ニュース 電子 作成日:2019年7月30日_記事番号:T00084883

「3ナノで1年リード」、サムスンがTSMCけん制

 韓国メディアの報道によると、サムスン電子は28日、サムスンファウンドリーフォーラム(SFF)を東京で9月4日に予定通り開催すると発表した。製造プロセス3ナノメートル以降のゲート・オール・アラウンド(GAA)技術でファウンドリー最大手、台湾積体電路製造(TSMC)を1年リード、インテルを2~3年リードするとアピールする見通しだ。これに対しTSMCは、ライバルの動向にはノーコメントだが、TSMCは7ナノ、5ナノ、3ナノで世界の先頭を走っていると強調した。30日付経済日報が報じた。

 韓国メディア「ビジネスコリア」の報道によると、サムスンは26日より同社サイトで、フォーラムの参加受け付けを開始した。日韓貿易対立が続く中でのフォーラム開催について専門家は、日本からの半導体用化学品供給が中断しても、サムスンのファウンドリー事業は中断しないとのメッセージだと分析した。

 日本政府は今月4日から、レジスト(感光材)など半導体用重要化学品の韓国向け輸出管理を強化しており、サムスンの極端紫外線(EUV)リソグラフィー技術を利用した7ナノプロセスに打撃が出ると予想されていた。