22日付電子時報が業界関係者の話を基に報じたところによると、ファウンドリー世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は、シリコンに代わり、低温で製造できる特性を持つカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を材料とするトランジスタを採用し、ウエハー上でのロジックＩＣ、メモリー、センサーのヘテロジニアス・インテグレーション（異種統合）を可能とする「Ｎ３ＸＴシステム」の研究を進めている。同システムではボンディングが不要で、３次元（３Ｄ）シリコン貫通電極（ＴＳＶ）など現行のパッケージング（封止）技術に比べ、ＩＣの性能を高めることができる。５～10年後にも量産が実現する可能性がある。
電子時報によると、「Ｎ３ＸＴシステム」の開発は、ＴＳＭＣ研究開発（Ｒ＆Ｄ）部門幹部の黄漢森（フィリップ・ウォン）氏と米スタンフォード大学が共同で進めている。
３次元集積化（３ＤＩＣ）のジニアス・インテグレーションでは温度の制御が最大の課題となるが、ＣＮＴを材料に採用すれば解決することができる。しかしＣＮＴを使った製造プロセスは成熟しておらず、現時点では90ナノメートル製造プロセスが限界とされる。
