中国の国有半導体大手、紫光集団は２日、傘下の長江存儲科技（ＹＭＴＣ）が独自技術「Xtacking（エックスタッキング）」で、64層積層プロセスを用いた256ギガビット（Gb）で３ビット／セル（ＴＬＣ、トリプルレベルセル）の３次元（３Ｄ）構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を開始したと発表した。中国メーカーによる初のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー量産で、旺宏電子（マクロニクス・インターナショナル、ＭＸＩＣ）や華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）にとって脅威となりそうだ。３日付経済日報が報じた。
マクロニクスは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの製造プロセスを36ナノメートルから19ナノに全面移行し、顧客にサンプル出荷を行っているところで、第３四半期に量産を開始する予定だ。2021年に192層積層プロセスを用いた３Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発を完了し、まずＴＬＣ規格から製品化する計画だ。
現在、サムスン電子と東芝が96層スタック構造の３Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを量産しており、ＳＫハイニックスは128層スタック構造の製品を生産している。市場調査会社、集邦科技（トレンドフォース）の調査によると、サムスンは昨年のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー販売額が221億9,000万米ドルで世界市場シェア35％だった。
