ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は20日、ワイドギャップ半導体の窒化ガリウム（ＧａＮ）製造プロセスの技術開発でＳＴマイクロエレクトロニクスと提携すると発表した。電気自動車（ＥＶ）など向けＧａＮデバイスの開発、生産でＳＴマイクロを支援する。21日付工商時報が報じた。
ＴＳＭＣは、ＧａＮはシリコン半導体に比べてスイッチング速度が10倍速く、省エネ性能に優れていると指摘。また、より高温での動作が可能で、▽自動車▽産業▽通信▽消費者向け電子機器──向けでの応用に適していると説明した。
