ＤＲＡＭ最大手、南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）は６日の董事会で、今年の設備投資を157億6,000万台湾元（約560億円）へと、２月時点の92億元より71.3％引き上げることを決めた。前年の2.9倍だ。主に自社開発の10ナノメートル製造プロセスの試験生産ライン設置に充てる。７日付経済日報が報じた。
証券業界は、南亜科技の10ナノ試験生産の加速は、DDR4 DRAMの自社開発成功でサーバー向けに再参入を果たし、パソコン向けでも大手顧客の評価を得ているためと指摘した。
南亜科技は３年前に、米マイクロン・テクノロジーと合弁だった華亜科技（イノテラ・メモリーズ）の株式をマイクロンに売却した当時、マイクロンから１ｘ（16～19）ナノプロセスのライセンス供与を受ける選択肢がありながら、自社での10ナノ開発を開始した。１Ａ製品の生産に成功し、今年１月に自社開発をマイクロンに通知した。
南亜科技の10ナノは、メモリーセルの微細化に応じてＡ、Ｂ、Ｃの３段階があり、１Ａは今年下半期に試験生産する予定だ。１Ｂは開発を開始しており、2022年に試験生産する予定だ。
