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作成日：2008年7月22日_記事番号：T00009008
ＵＭＣ、0.13マイクロのＮＯＲメモリー生産
聯華電子（ＵＭＣ）はこのほど、携帯電話端末に応用される「コモディティーＮＯＲ型フラッシュメモリー」で、0.13マイクロメートル技術による生産に成功した。90ナノメートル技術も開発中で、来年初めには量産化を見込む。22日付経済日報が伝えた。
業界では、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が昨年８月に0.13マイクロメートル技術による混載フラッシュメモリーの量産を開始しており、ＵＭＣの技術開発はＴＳＭＣに比べ半年ほど遅れているとみられている。
ＵＭＣは昨年の事業報告書で、混載フラッシュメモリー技術は高密度かつ低コストで、これまでの混載ＤＲＡＭに取って代わる存在になるとの見通しを示していた。混載フラッシュメモリー技術のサイズはメモリー混載技術「６Ｔ－ＳＲＡＭ」を使用した場合の４分の１から５分の１と小型なのが特長だ。
