ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は、研究開発（Ｒ＆Ｄ）中の２ナノメートル製造プロセスでゲート・オール・アラウンド（ＧＡＡ）技術の採用を決定したようだ。早ければ来月の技術フォーラムで発表するとみられる。13日付経済日報が報じた。
これについてＴＳＭＣはコメントしていない。サプライヤーによると、ＴＳＭＣがこれまで採用してきた立体構造トランジスタ（FinFET）技術は、３ナノ以降の製造プロセスではボトルネックがあり、新たにＧＡＡ技術の導入に踏み切ったようだ。ＧＡＡ技術は、サムスン電子のファウンドリー事業が３ナノからの導入を決めている。
業界では、ＴＳＭＣの２ナノでの生産開始は2023～24年と予測されている。
