ＤＲＡＭ大手、南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）の李培瑛総経理はこのほど、自社開発の10ナノメートル製造プロセスについて、第２世代の「１Ｂ」は研究開発（Ｒ＆Ｄ）段階に入っており、試験生産の開始時期は2021年へと、従来計画の22年より前倒しになるとの見通しを明らかにした。20日付経済日報が報じた。
南亜科技の10ナノは、メモリーセルの微細化に応じてＡ、Ｂ、Ｃの３段階がある。第１世代の「１Ａ」は従来計画通り下半期に試験生産を開始する予定だ。
南亜科技は、米国のデータセンター大手からサーバー用ＤＲＡＭの大口受注を獲得したことを受け、10ナノの開発加速のために設備投資とＲ＆Ｄ要員を拡充している。今年の設備投資額は157億6,000万台湾元（約570億円）を予定する。
