日経アジアンレビューが消息筋の情報として伝えたところによると、中国の国有半導体大手、紫光集団は資金不足により、四川省成都市での３次元（３Ｄ）構造ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー（3D NAND）工場、重慶市でのＤＲＡＭ工場の建設計画が止まっているようだ。２日付経済日報が報じた。
業界では、紫光集団は両工場の稼働後に大量生産、低価格戦略で市場シェア拡大を図る可能性が高いとして、メモリー市場への影響が懸念されていた。建設が中止となれば、▽メモリーの南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）▽メモリーモジュールの威剛科技（Ａデータ・テクノロジー）▽ＮＡＮＤフラッシュ用コントローラーＩＣの群聯電子（ファイソン・エレクトロニクス）──などにとって朗報だ。
紫光集団は当初、成都で月産能力10万枚の3D NAND工場を建設し、将来的に月産能力を世界全体の約20%に相当する30万枚へ拡大する計画だった。投資額は2,000億人民元（約３兆1,800億円）を想定していた。
消息筋によると、紫光集団は11月15日が期限の13億人民元の債務が返済できなかったほか、今後数カ月以内に数十億米ドル規模の債券を償還する必要があるという。
業界関係者によると、中国政府は両工場より投資規模が小さく、将来性のある計画にリソースを振り向けているようだ。
