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工研院、IBMと次世代メモリー開発


ニュース 電子 作成日:2008年9月18日_記事番号:T00010340

工研院、IBMと次世代メモリー開発

 
 工業技術研究院と米IBMは17日、磁性非揮発性メモリー「レーストラック」の共同開発で協力する契約を結んだ。18日付工商時報が伝えた。

 同メモリーは現在の携帯デバイスに比べ容量が100倍に達し、電源を入れてすぐ機器を使用できるようになるため、市場規模年間300億米ドルのNAND型フラッシュメモリーや同250億米ドルのハードディスクに取って代わる次世代メモリーとして注目を浴びている。

 同研究員の李世光副院長は「伝統的なハードディスクは起動が遅く、持ち運びに不便で、フラッシュメモリーも書き込みや読み込みの回数に制約があった。レーストラックはハードディスクの低コスト、高密度とNAND型フラッシュメモリーの随時読み取り性などを兼ね備えたものになる」と説明した。