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作成日：2008年9月30日_記事番号：T00010584
ＴＳＭＣの28ナノプロセス、10年Ｑ１からフルノードに
台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は29日、2010年第１四半期から28ナノメートルプロセスをフルノード技術として提供すると発表した。High-k／メタルゲートとシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）の選択も可能で、すでに複数の顧客が同社の28ナノプロセスを使用した製品設計を行っているという。30日付工商時報が伝えた。
ＳｉＯＮをベースとした低消費電力の28ナノプロセスである「28ＬＰＴ」は、ゲート密度が40ナノの低電力消費型プロセス「40ＬＰ」の２倍で、速度は最大50％向上し、消費電力を30～50％削減できる。コンシューマ向けモバイル製品用チップなどへの採用が見込まれる。
また、同社が初めてHigh-k／メタルゲートを採用した28ナノプロセスの「28ＨＰ」は、高効率でゲート密度は40ナノの汎用型プロセスである「40Ｇ」の２倍、速度は30％向上し、ＣＰＵチップやグラフィックチップなどへの採用が見込まれる。
