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作成日：2009年4月1日_記事番号：T00014442
ＴＳＭＣ、0.18マイクロプロセスに認証
台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は31日、0.18マイクロメートル製造プロセスを用いた組込式フラッシュメモリの認証を完了したと発表した。消費電力1.8～５ボルトの標準プロセス、超低リークプロセス、および自動車業界向けに認証を取得した組込式フラッシュメモリＩＰを提供する。１日付工商時報が報じた。
同社によると、完成したプロセスはFab３ですぐに量産ができる態勢となっている。フォトマスクの層数が７層と少ないことが特徴だ。同社の劉信生・主流技術事業処長は、同社は既に、90ナノメートルから0.25マイクロメートルまでの組込式フラッシュメモリの製造プロセス技術を持っているが、0.18マイクロメートル製造プロセスを開発したのは、アナログＩＣや自動車向けＩＣの受託生産市場を好感しているためだと説明した。
