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作成日：2010年3月17日_記事番号：T00021550
サムスンと力晶、ＤＲＡＭ投資競争の抑制呼び掛け
半導体業界団体の国際半導体連合（ＧＳＡ）が16日台北で開いたＧＳＡメモリー大会で、サムスン電子の権五鉉（クオン・オヒョン）半導体総括社長と力晶半導体（ＰＳＣ）の黄崇仁董事長が、昨年までの厳しい業界不況の反省を踏まえて、今後は盲目的な生産設備の拡張競争を慎もうと相次いで業界に呼び掛けた。17日付電子時報などが報じた。
権社長は下半期のＤＲＡＭ市場について、現在ＤＲＡＭ製品はＤＤＲ２からＤＤＲ３への移行期間に当たるため、供給過剰は起きないとの見通しを示した。その上で、ＤＲＡＭ大手各社は今後は増産のみを目指すのではなく、先端プロセスや新技術を応用した製品など価値の追求を目指すべきだと訴えた。
黄董事長も、過度の生産拡大に走って大幅な値崩れを招く事態を再び繰り返さないことを訴えた。
ただ、他の参加メモリメーカーからは「他社に生産抑制を呼び掛けるメーカーが、自社に資金があれば密かに増産を行うことは誰でも知っている」と、両社の呼び掛けは駆け引きの一種という見方も出た。
