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作成日：2010年5月20日_記事番号：T00022869
サムスンの大規模投資、標準ＤＲＡＭへの影響小さい＝力晶
力晶半導体（ＰＳＣ）の黄崇仁董事長は19日、サムスン電子が先日発表した総額18兆ウォン（約１兆4,000億円）に上る2010年設備投資計画について、標準ＤＲＡＭ市場への打撃は大きくないとの見方を示した。20日付工商時報が報じた。
サムスン電子は、世界最大となる月産能力20万枚を誇る12インチウエハー工場の新設を宣言したが、黄董事長は、このうち標準ＤＲＡＭに充てられるのは同６万～８万枚にすぎず、サムスンは残るラインでＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを生産し、同分野を強化する東芝に対抗して、首位の座を守りたい考えだと指摘した。
サムスン以外の同業他社は、エルピーダメモリ、ハイニックス、台湾メーカーいずれも負債を抱えているため今後２年以内の工場新設は困難で、生産能力の増強は製造プロセスの微細化によるもののみとなるため、標準ＤＲＡＭ供給量が市場に悪影響を及ぼすほど増えることはないとみている。
なお黄董事長は、好感できる分野として、下半期に買い替え商機が予想されるパソコン向け、スマートフォン向けなど現在需要が強いモバイルＤＲＡＭに加え、３Ｄ（立体）テレビ向けを挙げた。
