エルピーダメモリ傘下のＤＲＡＭメーカー、瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）は12日、40ナノメートル製造プロセスによる容量２ギガビット（Gb）ＤＤＲ３の試験生産に成功したと発表した。これにより、今後同社の主力製品は２GbのＤＤＲ３にレベルアップする見通しだ。13日付電子時報が報じた。
陳正坤レックスチップ総経理は、12インチウエハー工場の40ナノプロセスへの年内全面移行に向け、液浸リソグラフィー装置２台が既に搬入され、11月末にはさらに３台を追加する予定だと語った。
レックスチップの12インチ工場は現在、63ナノプロセスが中心で、歩留まり率は90％を超えている。今回の設備増強で、月産能力は従来の８万枚から８万6,000枚に向上した。このため、第３四半期のビット成長率（出荷メモリーの総容量の伸び率）は25％に達する見通しだ。
