台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は11日、ファウンドリーとして初めて、アナログおよびデジタルＩＣをサポートする32ナノメートル製造プロセス技術を開発したと発表した。12日付経済日報が伝えた。
同社が試作に成功したのは、トランジスタのセルサイズが最小の２ＭＢ・32ナノメートルＳＲＡＭで、機能テストも通過している。
同社は第４四半期もナノレベルの生産ラインはフル稼働状態で、来年第１四半期の受注も順調だ。来年初めには40ナノを、2009年第４四半期には32ナノ低効率ロジック製品を発売し、将来的には32ナノプロセスを用いたデジタルやアナログ、高周波、高密度メモリなど多様な製品を提供したいとしている。
