ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）で技術開発を主導する蒋尚義・共同営運長（ＣＯＯ）は22日、「研究開発（Ｒ＆Ｄ）のスピードを速め、2017年には10ナノメートル製造プロセスでインテルに肩を並べたい」との考えを示した。23日付工商時報が報じた。
ＴＳＭＣの張忠謀董事長は先ごろ、20ナノプロセスから16ナノプロセスへの微細化スケジュールを１年短縮し、16ナノ立体構造トランジスタ（FinFET）プロセスによる量産を15年に前倒しすると語っている。
一方、蒋共同営運長は「当社は来年20ナノＳｏＣ（システム・オン・チップ）プロセスの量産に入り、理論的には16ナノFinFETプロセスの導入が可能になるのはその２年後になる」と説明した。しかし、インテルが現在モバイル・デバイス市場での展開を拡大し、多くのＴＳＭＣ顧客と競争を繰り広げて同社の間接的なライバルとなる中、今回は特例的に開発を急ぐ考えを示した。
また10ナノプロセスの量産開始時期については「16ナノによる量産の２年後に可能となり、同世代でインテルに追い付きたい」と強調した。
