ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は14日の董事会で、設備投資1,460億7,668万台湾元（約5,000億円）を承認した。第２四半期はフル稼働に近いものの、製造プロセス28、20ナノメートルの需要は増えており、生産能力の拡大が急務だ。今年末にはメモリー以外の生産能力がインテルを上回り、名実ともに半導体業界の首位に立つ見通しだ。15日付工商時報などが報じた。
ＴＳＭＣは今年の設備投資に台湾ハイテク業界過去最高の95億〜100億米ドルを投じる予定だ。第１四半期の董事会では787億2,800万元を承認しており、上半期だけで既に年間計画の７割を占める。これらは、先進プロセスの生産能力拡大、12インチウエハー工場（ギガファブ）建設や、先進プロセス開発などに充てられる。20ナノプロセスは来年第１四半期に量産、16ナノ立体構造トランジスタ（FinFET）は2015年に量産する計画だ。
