ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は、来年第１四半期にダイアログ・セミコンダクターのスマートフォンの急速充電アダプター向け窒素ガリウム（ＧａＮ）パワーＩＣを生産する予定だ。27日付経済日報が報じた。
ＴＳＭＣは６インチ、0.5マイクロメートル、650ボルト（V）のGaN-on-Si（ガン・オン・シリコン）技術で生産する。同ＩＣにより、充電時間を半減できる。
スマホの急速充電規格対応ＩＣは▽聯発科技（メディアテック）▽クアルコム▽展訊通信（スプレッドトラム・コミュニケーションズ）▽深圳市海思半導体（ハイシリコン・テクノロジーズ）──が参入している。サムスン電子のスマホ、ギャラクシーは全シリーズに急速充電機能を搭載しており、アップルも参入が見込まれている。
ガン・オン・シリコン技術はスマホ以外に、ノートパソコンの外付けバッテリー、サーバー、車載用、スマートグリッド市場の商機も期待できる。
