パナソニックは１日、ファウンドリー大手の聯華電子（ＵＭＣ）と、低消費電力特性や高速書き換え特性などに優れたReRAM（抵抗変化型メモリー）の次世代技術となる40ナノメートル量産プロセスの共同開発で合意したと発表した。2018年のサンプル出荷を目指す。３日付工商時報によると、19年に量産を開始する見通しだ。
パナソニックは、パナソニックセミコンダクターソリューションズ（ＰＳＣＳ）が開発した微細ReRAMプロセス技術と、ＵＭＣの高信頼ＣＭＯＳプロセス技術の融合で、現在ＩＣカードやウェアラブル（装着型）端末、モノのインターネット（ＩｏＴ）機器などに採用されているフラッシュメモリーに代わる混載用メモリーとして、多様なシステムデバイスへの応用が可能なReRAMプロセスプラットフォームを実現できると説明した。
ＰＳＣＳは、13年から180ナノプロセスでReRAMを量産。現在ポータブルヘルスケア機器などの低消費電力用途に８ビット（bit）マイコンMN101LRシリーズを供給している。また他社に先駆けて40ナノプロセスによるメモリーアレイを評価し、高信頼性を実証した。
