半導体メモリー大手、華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）は７日、2017年の設備投資計画は166億台湾元（約600億円）と発表した。前年の2.5倍増で、過去最高となる見通しだ。同社は、主に生産能力の増強、ＤＲＡＭの製造プロセス微細化に充てると説明した。８日付経済日報などが報じた。
詹東義総経理は、自社で開発した30ナノ台のＤＲＡＭについて顧客から認証が得られ、第３四半期に大量出荷を開始する予定と話した。来年上半期には20ナノ台のＤＲＡＭ出荷を開始する予定だ。
詹総経理は、過去数年間は技術の大幅改良をほとんど行っていなかったと述べた。昨年より微細化を進めており、今年は増益が見込まれる。
同社が同日発表した16年連結売上高は前年比10％増の420億9,200万元だった。特定用途用ＤＲＡＭの売上高（構成比49％）は前年比３％増、モバイルＤＲＡＭ（構成比14％）は前年比30％増、フラッシュメモリー（構成比37％）は前年比11％増だった。純利益は28億9,800万元で、前年比12％減だった。
