９日付電子時報によると、ファウンドリー世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が、16ナノメートル立体構造トランジスタ（FinFET）プロセスの第４世代に当たる12ナノプロセスの開発を進めているようだ。シリコンＩＰ（知的財産）プロバイダー、力旺電子（イーメモリー・テクノロジー）も、新世代プロセスに合わせて「NeoFuse」と呼ばれる同社のワンタイム・プログラマブル（ＯＴＰ）技術の開発に着手し、全面協力を行っているという。
ＴＳＭＣとイーメモリーは第１世代の16ナノFinFETプロセスから協力関係にあり、各世代のプロセスにイーメモリーのNeoFuse技術が導入されている。
またイーメモリーは16ナノFinFETプロセスの簡易版「16ＦＦＣ」プロセスおいてもＴＳＭＣの認証を取得しており、既にＴＳＭＣの一部顧客がNeoFuse技術を導入した製品をテープアウト（設計完了）したという。
