中国は最近、ＤＲＡＭなどのメモリー分野で国産化を目指した攻勢をかけ、台湾メーカーからの人材引き抜きで技術確保に動いているが、「技術の壁」は依然高いのが現状のようだ。
２日付蘋果日報が市場関係者の話として報じたところによると、安徽省合肥市の睿力集成電路は１期工場が11月にも完成するが、社内実験室で生産したＤＲＡＭは歩留まり率がゼロという状況で、今後の生産に影響が避けられない見通しだ。
台湾ファウンドリー大手、聯華電子（ＵＭＣ）の中国での合弁事業、晋華集成電路（JHICC）も、米半導体大手マイクロン・テクノロジーの社員を高待遇で引き抜き、ＤＲＡＭ技術を盗み出したとされる事件の影響で、進度にやや遅れが出ている。
業界関係者は「ＤＲＡＭは工場と設備と人材だけあればよいわけではない。技術が最も重要な鍵を握る。技術開発後には顧客の認証が必要だ」とし、中国のＤＲＡＭ開発は今後２～３年は脅威の度合いが低下したと分析している。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーも同様で、３Ｄ（３次元）製品の開発を目指す紫光集団系の長江存儲も歩留まり率が伸びず、量産時期が遅れる見通しだ。
