ＤＲＡＭ大手、南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）の李培瑛総経理は10日、10ナノメートル製造プロセス技術の自主開発が完了し、今年下半期にも試験生産に入ると明らかにした。台湾メモリー業界で過去30年最大の成果で、海外大手の最新製造プロセスとの差が縮まり、数世代前の技術ライセンスに依存する体制からの脱却が実現することになる。11日付経済日報が報じた。
李総経理は、今年は在庫消化が進み需給が安定すると楽観的な見通しを示した（10日＝中央社）
李総経理は、新技術でＤＲＡＭ製品の微細化が３世代分進むと説明した。当初は８ギガビット（Gb）ＤＤＲ４、LPDDR4、ＤＤＲ５を生産する。また、第２期の10ナノ製品は研究開発（Ｒ＆Ｄ）段階で2022年の試験生産を目指す他、第３期製品の開発も行うと説明した。今年の設備投資額は昨年の55億台湾元（約200億円）を上回ると見込む。
同社は、主力の20ナノプロセスで米マイクロン・テクノロジーから技術ライセンスを受けており、自主開発技術への移行で年間100億元ともされるライセンス費用を削減できる見通しだ。
