ＤＲＡＭ最大手、南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）は、自主開発した10ナノメートル製造プロセス技術、およびＤＲＡＭとロジックＩＣのヘテロ接合の研究開発（Ｒ＆Ｄ）のために今年200人を新規採用することを決定した。研究開発の人員体制は約1,000人規模となり、現在より２割以上拡大する。20日付経済日報が報じた。
李培瑛総経理は、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）による設備投資拡大と人材採用、中国企業の人材ヘッドハンティングのプレッシャーは小さくないと語りながらも、近年従業員の福利厚生を大幅に引き上げ、特にエリート人材は有利な条件で引き留めていると説明。生産効率や営業利益ではサムスン電子やＳＫハイニックスと大きな差はなく、優秀な人材を少なからず獲得できるとの見通しを示した。
李総経理はまた、同社の10ナノプロセス技術はメモリーセルの微細化段階に応じてＡ、Ｂ、Ｃの３段階があり、今年は「１Ａ」を下半期に試験生産、「１Ｂ」は研究開発に着手して2022年までに試験生産、その後「１Ｃ」の開発に入ると説明した。
