ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の劉徳音（マーク・リュウ）董事長は18日、半導体の国際会議である国際固体素子回路会議（ISSCC）の講演で、３ナノメートル製造プロセスは従来計画より若干前倒しで進めており、３ナノやそれ以降の主要プロセスは予定通り生産に入るとの見通しを示した。３ナノは今年下半期に試験生産を開始し、来年下半期に量産に入る予定だ。19日付工商時報が報じた。
劉董事長は、２ナノ以降はナノシートを利用したゲート・オール・アラウンド（ＧＡＡ）技術を採用すると説明した。また、極端紫外線（ＥＵＶ）露光（リソグラフィー）技術は１ナノまで採用できると指摘した。
半導体材料の開発については、六方晶窒化ホウ素（ｈＢＮ）の量産にもうすぐ入るなどと説明した。
