微駆科技（エクスプロア・マイクロエレクトロニクス）の呉金栄総経理はサプライチェーンの間での観測として、サムスン電子は半導体の３ナノメートル製造プロセスでゲート・オール・アラウンド（ＧＡＡ）技術を採用し、進度が１四半期遅れるとの見方を示した。ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が３ナノで採用する立体構造トランジスタ（FinFET）技術より難易度が高いためだ。23日付蘋果日報が報じた。
ＴＳＭＣの劉徳音（マーク・リュウ）董事長は18日、３ナノプロセスは従来計画よりやや早まるとの見方を示した。同社は昨年11月時点で、３ナノは2022年下半期に量産に入る予定としていた。
一方、サムスンの幹部は、22年の３ナノ量産を宣言していた。
呉総経理は、ＴＳＭＣの極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置は20年が34台、21年末には55台に増えると予測。サムスンは20年が19台、21年末には30台と予測した。
