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南亜科技が新北でDRAM新工場計画、自社開発10ナノ導入へ/台湾


ニュース 電子 作成日:2021年4月20日_記事番号:T00095672

南亜科技が新北でDRAM新工場計画、自社開発10ナノ導入へ/台湾

 DRAM最大手、南亜科技(ナンヤ・テクノロジー)は20日、新北市泰山区の南林科技園区に12インチウエハー工場を建設すると発表した。2021年末に着工し、23年末に完工、24年に量産を開始する計画だ。同社が自社開発を進めている10ナノメートル製造プロセス技術でDRAMを量産する。極端紫外線(EUV)露光(リソグラフィー)技術を採用し、月産能力は4万5,000枚を見込む。20日付工商時報などが報じた。

/date/2021/04/20/01nanya_2.jpg呉・董事長は、先進プロセスを自社開発することで、台湾のDRAM産業は安定すると強調した(新北市政府リリースより)

 投資額は3,000億台湾元(約1兆1,600億円)。南亜科技は、就業機会2,000件を創出できると説明した。

 呉嘉昭・董事長は、10ナノプロセスは今年量産する予定で、DDR5、LPDDR5、16ギガバイト(GB)の大容量のDRAMを生産し、第5世代移動通信(5G)やスマート化などに対応すると述べた。