経済部技術処の邱求慧・処長は、第３世代半導体材料の炭化ケイ素（ＳｉＣ）関連の研究開発（Ｒ＆Ｄ）支援に2022年から４年間で計40億台湾元（約154億円）を投じる計画を始動すると明らかにした。電気自動車（ＥＶ）や風力発電機などクリーンエネルギー設備向けの半導体に応用可能な、1,700ボルト（V）以上の耐圧ＳｉＣやデバイスを域内生産できるようにし、次世代半導体分野での商機獲得を目指す。26日付自由時報が報じた。
邱・処長は、同計画により約400億元規模の投資を促すと期待感を示した。
邱・処長はさらに、経済部工業局やメーカーと連携してＳｉＣ生産設備の開発にも取り組み、材料、設備、製造プロセスのいずれも供給できる体制を整えると表明した。
