半導体製造装置業界関係者によると、ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は開発を進めている３ナノメートル製造プロセスについて、ＩＣ設計の複雑さや高価な新型極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置導入による大幅なコスト上昇に直面し、チップサイズを若干大きくするとともに、ＥＵＶフォトマスク層を減らすなどの改善計画に着手したようだ。20日付工商時報が報じた。
業界関係者によると、ＥＵＶ露光装置の価格は上昇が続き、下半期に発売される半導体露光装置最大手、ＡＳＭＬの「NXE3600D」は１億4,000万～１億5,000万米ドルに上る見通しだ。
また、４ナノプロセスのＥＵＶフォトマスク層は14層以下だが、３ナノプロセスは25層となり、受託価格が約３万米ドルに上昇し、顧客の発注意欲が低下する恐れがある。このためＴＳＭＣは、３ナノプロセスのＥＵＶフォトマスク層を少なくとも20層に抑えるなどのコスト削減を行うようだ。
