米メモリー大手、マイクロン・テクノロジーのサンジェイ・メロートラ最高経営責任者（ＣＥＯ）は19日、工商時報のインタビューで、中部科学園区（中科）后里園区（台中市后里区）のＡ３工場に同社初となる極端紫外線（ＥＵＶ）露光（リソグラフィー）技術を採用したＤＲＡＭ生産ラインを導入すると明らかにした。まずは１γ（ガンマ）ナノメートルの製造プロセスに採用し、2024年に量産予定だ。その後、米国など他の工場にも導入する。20日付同紙が報じた。
メロートラＣＥＯは、台湾のメモリー工場とパッケージング・テスティング（封止・検査）工場で技術開発と生産能力拡大を加速する方針で、今後２～３年で従業員を2,000人増員すると表明した。現在、台湾の従業員数は9,000人余り。
メロートラＣＥＯはこのほか、世界半導体市場に占めるメモリーの割合は30％と、00年の10％の３倍に高まったが、メモリー市場の需給バランスは崩れておらず、過去数年と比べて改善してきていると指摘。今後数年は健全な状況が続くと予想した。
